[发明专利]一种存储器的离子注入方法在审
| 申请号： | 201810347983.4 | 申请日： | 2018-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN110391138A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 熊涛;刘钊;许毅胜;舒清明 | 申请（专利权）人： | 上海格易电子有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器的离子注入方法。该方法包括：在衬底一侧表面形成外围器件的预备外围多晶硅栅和存储单元的存储控制栅，其中，预备外围多晶硅栅和存储控制栅限定出存储单元的源漏注入区；采用自对准工艺进行存储单元的轻掺杂源漏离子注入；对预备外围多晶硅栅进行刻蚀，在外围器件的设定控制部区形成外围多晶硅栅；进行外围器件的轻掺杂源漏离子注入。本发明实施例利用预备外围多晶硅栅和存储控制栅限定出存储单元的源漏注入区，采用自对准技术进行存储单元的轻掺杂源漏离子注入，在离子注入前，无需用于保护外围器件的掩膜版，简化了存储器的制备工艺流程，缩短了存储器的制备周期，提高了存储器的制备效率。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 存储单元 多晶硅栅 离子 外围器件 外围 轻掺杂源漏 存储控制 预备 源漏注入区 制备 自对准工艺 表面形成 制备周期 工艺流程 掩膜版 自对准 衬底 刻蚀 | ||
【主权项】：
1.一种存储器的离子注入方法，其特征在于，包括：在衬底一侧表面形成外围器件的预备外围多晶硅栅和存储单元的存储控制栅，其中，所述预备外围多晶硅栅和所述存储控制栅限定出所述存储单元的源漏注入区；采用自对准工艺进行所述存储单元的轻掺杂源漏离子注入；对所述预备外围多晶硅栅进行刻蚀，在所述外围器件的设定控制部区形成外围多晶硅栅；进行所述外围器件的轻掺杂源漏离子注入。
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- 本发明提供了一种低掺杂浓度氮化镓的制备工艺，包括以下步骤：S1,材料准备，准备GaN基板与其他相应器材；S2，安装准备工作，完成GaN基板的安装；S3，调节中电流离子注入机参数；S4注入离子，启动中电流离子注入机，向GaN基板中注入Mg离子；S5，加热处理，将上步中的GaN基板放入到加热箱内进行加热；S6退火处理，降低加热箱的加热温度然后保温；S7冷却处理。本发明通过对GaN基板进行双面注入，提高了掺杂剂Mg在整个GaN基板的掺杂效率；在对GaN基板进行注入掺杂后，再通过加热将GaN基板内的掺杂剂Mg进行二次分散处理，进而提高了掺杂剂Mg在GaN基板中的分散程度，极大的降低了位错，进一步的提高了掺杂剂Mg在GaN基板中的掺杂效率。
- 短沟道NFET装置-201610178035.3
- C·D·源;K·亨佩尔 - 格罗方德半导体公司
- 2016-03-25 - 2019-04-12 - H01L21/265
- 本发明涉及短沟道NFET装置，具体提供一种形成半导体装置的方法，其包括以相对于垂直于半导体层的表面的方向的有限倾斜角度，在该半导体层中共布植光晕物种及碳。另外，提供一种半导体装置，其包括N沟道晶体管，该N沟道晶体管包含由光晕物种所制成的光晕区，该光晕区于半导体层中形成有掺质分布，该半导体装置还包括碳物种，该碳物种于该半导体层中布植成与该光晕区具有实质相同的掺质分布。
- 一种离子注入机角度监测方法-201811427763.9
- 彭侃 - 武汉新芯集成电路制造有限公司
- 2018-11-27 - 2019-03-26 - H01L21/265
- 本发明提供一种离子注入机角度监测方法，应用于离子注入机中，其中，包括以下步骤：步骤S1，在离子注入机中按照不同的注入角度对晶圆注入预设离子，获取每个注入角度对应的晶格损伤度；步骤S2，根据每个注入角度对应的晶格损伤度确定监测参考角度；步骤S3，在监测参考角度下注入预设离子，获取晶格损伤度的标准范围；步骤S4，每隔预设时间间隔，在监测参考角度下注入预设离子，获取相应的晶格损伤度，并根据晶格损伤度是否超出标准范围确定离子注入机的角度的准确性。本发明的有益效果在于：对离子注入机角度进行准确的监控，从而确保离子注入条件的准确性，提高半导体器件成品率。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
