[发明专利]位线栅极及其制作方法在审
| 申请号： | 201810341857.8 | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN110391232A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 陈品宏;陈意维;邱钧杰;蔡志杰;陈姿洁;刘志建 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种位线栅极及其制作方法，该位线栅极结构包含一基底，一非晶硅层位于该基底上，一第一掺杂区位于该非晶硅层内，一氮化硅钛(TiSiN)层，位于该非晶硅层上，以及一第二掺杂区位于该氮化硅钛层内，且该第一掺杂区与该第二掺杂区直接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂区 非晶硅层 位线 氮化硅钛 基底 栅极结构 制作 | ||
【主权项】：
1.一种位线栅极结构，其特征在于，包含：基底；非晶硅层，位于该基底上；第一掺杂区，位于该非晶硅层内；氮化硅钛(TiSiN)层，位于该非晶硅层上；以及第二掺杂区，位于该氮化硅钛层内，且该第一掺杂区与该第二掺杂区直接接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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