[发明专利]一种应用于PECVD成膜的基座有效
申请号: | 201810333417.8 | 申请日: | 2018-04-13 |
公开(公告)号: | CN108251821B | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
发明(设计)人: | 邓胜福 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供了一种应用于PECVD成膜的基座,用于对一衬底进行沉积成膜,基座包括基座本体、设置于基座本体下方用于支撑基座本体的底座,以及一动力单元,基座本体上沿其延伸方向依次间隔开设有至少三个开孔,每个开孔内均安装有一支撑单元,至少三个支撑单元用于共同支撑衬底;至少三个支撑单元均与动力单元连接,动力单元用于驱动每个支撑单元相对于基座本体升降。本发明提供了一种应用于PECVD成膜的基座,通过设置至少三个支撑单元对衬底进行支撑,除了两端的两个支撑单元支撑衬底的两端外,还有一个支撑单元位于衬底的中部下方进行辅助的支撑,有效避免了现有技术中只有两个goft tee分别支撑衬底两端,由于衬底中间下垂量较大可能产生的破片现象的发生。 | ||
搜索关键词: | 一种 应用于 pecvd 基座 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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