[发明专利]一种碳化硅纳米线的制备方法有效
| 申请号： | 201810325080.6 | 申请日： | 2018-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN108502885B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 沈晓燕;陈林;黄勇峰 | 申请（专利权）人： | 苏州锦艺新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/97 | 分类号： | C01B32/97 |
| 代理公司： | 32103 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 汪青;周敏 |
| 地址： | 215500 江苏省苏州市常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳化硅纳米线的制备方法，将多巴胺包覆在二氧化硅表面形成包覆层，控制所述的多巴胺和所述的二氧化硅的投料质量比为1:2～30；将形成有包覆层的二氧化硅和石墨混合后，先在第一温度下煅烧使所述的多巴胺转化为碳，其中，700℃≤所述的第一温度≤1250℃，然后在第二温度下煅烧使碳热还原反应发生，从而制得所述的碳化硅纳米线，其中，1300℃≤所述的第二温度＜2000℃。本发明的制备方法无需使用金属催化剂，从而避免了碳化硅纳米线产品中的金属污染；本发明的方法制备的碳化硅纳米线形貌均一，可实现量产1KG/炉；本发明的方法工艺简单，原料廉价易得，且对设备要求低，从而使得生产成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅纳米线 制备 二氧化硅 包覆层 多巴胺 煅烧 二氧化硅表面 碳热还原反应 多巴胺转化 金属催化剂 投料质量比 金属污染 形貌均一 对设备 石墨 包覆 量产 生产成本 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅纳米线的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：/n步骤(1)、将多巴胺包覆在二氧化硅表面形成包覆层，控制所述的多巴胺和所述的二氧化硅的投料质量比为1:2～30；/n步骤(2)、将步骤(1)制得的形成有包覆层的二氧化硅和石墨混合后，先在第一温度下煅烧使所述的多巴胺转化为碳，其中，700℃≤所述的第一温度≤1250℃，然后在第二温度下煅烧使碳热还原反应发生，从而制得所述的碳化硅纳米线，其中，1300℃≤所述的第二温度＜2000℃。/n
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