[发明专利]一种玻璃熔窑用高温高辐射率硅砖及其制备方法

摘要

本发明公开一种玻璃熔窑用高温高辐射率硅砖及其制备方法，所述硅砖包括硅砖主体，硅砖主体表面涂覆有纳米红外涂层；硅砖主体包括不同级配的硅质原料、矿化剂、复合添加剂与碳化硅；纳米红外涂层包含硅质高辐射基料、硅微粉，硼化硅、氮化硅、硅溶胶、助剂与去离子水；本硅砖通过配料、混练、成型、干燥、喷涂、表干、烧结一系列步骤制备得到；本发明的硅砖表面覆有一层纳米级高辐射率红外涂层，该涂层经高温烧结后牢固地附于硅砖主体的表面，并部分渗透进硅砖主体，能够显著提高硅砖在高温下的辐射率，强化玻璃窑内辐射传热，实现节能减排效益；另外，致密涂层也可以起到保护硅砖，延长硅砖使用寿命的作用。

主权项

1.一种玻璃熔窑用高温高辐射率硅砖，其特征在于，包括硅砖主体，硅砖主体表面涂覆有纳米红外涂层；所述硅砖主体所含组分的重量百分比为：粒径5～10mm的硅石20～60%、粒径0.5～5mm的硅石10～40%、粒径100～600μm的硅石粉5～25%、粒径小于5μm的石英粉5～25%，以及占上述组份总重量2～5%的矿化剂、1～10%的复合添加剂与1～5%的碳化硅；所述矿化剂按重量百分比包含以下组分：石灰乳60～80%、铁鳞1～10%、硼酸2～20%、碳酸锂1～9%与碳酸钠3～8%；所述复合添加剂按重量百分比包含以下组分：聚丙烯酸铵12～50%、碳酸钾1～25%、浓度为5%的PVA溶液30～80%；所述纳米红外涂层所含组分的重量百分比为：硅质高辐射基料20～60%、硅微粉10～50%，硼化硅1～9%、氮化硅1～9%、硅溶胶10～30%、助剂3～6%与去离子水8～30%；所述硅质高辐射基料按重量百分比包含以下组分：二氧化硅10～60%、碳化硅10～50%、硅树脂5～20%、硼化硅3～20%与氧化锆3～20%；所述助剂按重量百分比包含以下组分：聚羧酸减水剂10～30%、防老化剂9～25%、十二碳醇酯30～60%与聚丙烯酰胺20～45%；所述纳米红外涂层中SiO2含量不低于98%。