[发明专利]一种{110}高能晶面暴露BiOCl材料的制备方法及其应用在审
| 申请号： | 201810323243.7 | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN108502925A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 刘恩辉;洪伟峰;韩秀莉;周勇 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | C01G29/00 | 分类号： | C01G29/00;H01M4/32 |
| 代理公司： | 湘潭市汇智专利事务所(普通合伙) 43108 | 代理人： | 冷玉萍 |
| 地址： | 411105 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种{110}高能晶面暴露BiOCl材料的制备方法及其应用。本发明将铋源、氯源和糖类化合物按一定比例混合均匀，将高能球磨的机械力同步作用于化学反应，然后在200～600℃下热处理，再经过洗涤除杂、固液分离、干燥制备出BiOCl材料。所制备的BiOCl材料由厚度2～20nm、边长100～1000nm的纳米片组成，{110}晶面暴露程度为50～100％。本发明具有制备工艺简单、易实现工业化生产、制造工艺成本低、环境友好等优势。所制备的{110}高能晶面暴露BiOCl材料在超级电容器、碱性二次电池、锂离子电池、光催化剂、珠光颜料、医药等领域具有广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 晶面 暴露 应用 碱性二次电池 化学反应 超级电容器 糖类化合物 锂离子电池 热处理 高能球磨 固液分离 光催化剂 环境友好 洗涤除杂 制备工艺 制造工艺 珠光颜料 机械力 纳米片 边长 氯源 铋源 | ||
【主权项】：
1.一种{110}高能晶面暴露BiOCl材料的制备方法，其特征在于，所述的BiOCl材料由厚度2～20nm、边长100～1000nm的纳米片组成，{110}晶面暴露程度为50～100％；其制备方法包括如下步骤：(1)将铋源、氯源与糖类化合物按1:(0～2):(0.01～1)的摩尔比混合均匀，得到原料混合物；(2)将步骤(1)所得原料混合物与磨球按1:(0.5～100)的质量比放入球磨机中，在保护气氛下球磨0.2～20h；(3)将步骤(2)得到的球磨混合物置于高温炉中在200～600℃下热处理0.5～10h，将热处理后的混合物经过洗涤除杂，然后进行固液分离、干燥，即得{110}高能晶面暴露的BiOCl材料。
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