[发明专利]确定光栅掩埋层工艺参数的方法有效
| 申请号： | 201810319657.2 | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN108508518B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 杨皓宇;李善文 | 申请（专利权）人： | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 深圳市隆天联鼎知识产权代理有限公司 44232 | 代理人： | 刘抗美;马凯华 |
| 地址： | 266555 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种确定光栅掩埋层工艺参数的方法。确定光栅掩埋层工艺参数的方法包括：制备光栅；定位测试点位置，利用原子力显微镜测试光栅形貌，记录测试点的前值信息；将样品放入金属有机物气相外延设备中进行模拟生长掩埋层；取出样品后再利用原子力显微镜测试光栅形貌，记录测试点的后值信息；比较模拟生长掩埋层后的测试点的前值信息与后值信息，调节工艺参数，得到最优工艺参数。通过对光栅进行模拟生长掩埋层，确定最优工艺参数。提高工艺参数的验证准确性，降低验证时间，可以有效的降低研发成本。 | ||
| 搜索关键词： | 确定 光栅 掩埋 工艺 参数 方法 | ||
【主权项】：
1.一种确定光栅掩埋层工艺参数的方法，包括：制备光栅；定位测试点位置，利用原子力显微镜测试光栅形貌，记录测试点的前值信息；将样品放入金属有机物气相外延设备中进行模拟生长掩埋层；取出样品后再利用原子力显微镜测试光栅形貌，记录测试点的后值信息；比较模拟生长掩埋层后的测试点的前值信息与后值信息，调节工艺参数，得到最优工艺参数。
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