[发明专利]半导体晶元薄膜制程蚀刻工艺铝件的再生方法有效
| 申请号： | 201810306125.5 | 申请日： | 2018-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN108642509B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 范银波 | 申请（专利权）人： | 苏州珮凯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 32267 苏州市方略专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 马广旭 |
| 地址： | 215000 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体晶元薄膜制程蚀刻工艺铝件的再生方法。其利用铝热膨胀系数较大的特性，通过热胀冷缩的方法进行铝件再生，一方面降低采用高洁净度洗液所带来的成本提高，另一方面可以有效防止洗液残留造成的铝件二次污染，具有广泛的适用性。 | ||
| 搜索关键词： | 铝件 蚀刻工艺 再生 晶元 制程 薄膜 半导体 热膨胀系数 二次污染 高洁净度 热胀冷缩 洗液残留 洗液 | ||
【主权项】：
1.半导体晶元薄膜制程蚀刻工艺铝件的再生方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1）将铝件升温至200℃后，采用温度-30℃压强5MPa氮气吹过铝件表面，后再将铝件升温至100摄氏度；/n2）将铝件表面均匀喷涂淀粉稀释液制成的粘性涂层，并将铝件表面贴付上PE塑料膜，待铝件冷却至50摄氏度粘性涂层硬化；/n3）将步骤2）所得到的铝件采用液氮冷冻快速冷冻至-50℃以下，再升温到-25℃至-30℃；/n4）在铝件各表面上方3-5mm处设置吸附层，再采用50MPa-55MPa气柱在铝件各表面上方对撞，气柱对撞角度小于120，气柱对撞处在铝件各表面上方0.2-0.5mm处对撞，所述气柱采用-30℃至-40℃氮气气柱，气柱对撞过程中气柱在铝件个表面上方0.2-0.5mm范围内上下移动；/n5）重复步骤3）至4）2-5次，将铝件置于20℃干燥室内自然升温至温度不再提高，铝件不断自转并变换与气柱的角度，完成再生过程。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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