[发明专利]一种单光子源主动探针的制作方法

摘要

本发明公开一种单光子源主动探针的制作方法，包括以下步骤：纯硅芯单模光纤去除末端5cm的塑料包层；光纤末端8cm垂直浸入氢氟酸溶液；15～25分钟后，把光纤从氢氟酸溶液中提起；依次用丙酮溶液和去离子水清洁光纤尖端；把清洁后的光纤的尖端浸入正电性聚合物溶液，静置10分钟；将光纤提出正电性聚合物溶液，静置烘干；将带有单光子纳米晶体的溶液旋转镀膜到显微镜载玻片，静置30分钟；将带正电镀层的光纤下降至距离单光子纳米晶体20～100纳米，光纤低速小范围扫描，使单光子纳米晶体被光纤的尖端吸附。本发明的探针末端纳米晶体附着牢固，单光子源尺寸小、发射稳定，成本低廉，对近场光学显微镜的分辨率有明显提升。

主权项

1.一种单光子源主动探针的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：A、纯硅芯单模光纤去除末端5cm的塑料包层待用；B、纯硅芯单模光纤末端8cm垂直全部浸入20％～30％wt的氢氟酸溶液，控制室内温度在25℃，保持放置氢氟酸溶液的桌子水平无振动；C、15～25分钟后，以1毫米/秒～5毫米/秒的速度把纯硅芯单模光纤从氢氟酸溶液中提起，此时纯硅芯单模光纤最下端呈现针尖状；D、依次用丙酮溶液和去离子水清洁纯硅芯单模光纤的尖端；E、把清洁后的纯硅芯单模光纤的尖端缓慢浸入正电性聚合物溶液，静置10分钟；F、以50微米/秒～200微米/秒的速度将纯硅芯单模光纤缓慢提出正电性聚合物溶液，静置烘干待用；G、将带有单光子纳米晶体的溶液旋转镀膜到洁净的去静电处理过后的显微镜载玻片上，静置30分钟，等待溶液蒸发干净；H、将制备好的带正电镀层的纯硅芯单模光纤下降至距离单光子纳米晶体20～100纳米，让纯硅芯单模光纤低速小范围扫描，使单光子纳米晶体被纯硅芯单模光纤的尖端吸附，制成单光子源主动探针。