[发明专利]一种硅酸铋闪烁晶体的旋转下降法生长工艺在审
| 申请号： | 201810245279.8 | 申请日： | 2018-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN110295394A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 周尧;袁晖;熊巍;陈良 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地 |
| 主分类号： | C30B29/34 | 分类号： | C30B29/34;C30B11/02 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;熊子君 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种硅酸铋闪烁晶体的旋转下降法生长工艺，采用坩埚下降法生长硅酸铋晶体，在坩埚下降的同时使坩埚水平旋转。 | ||
| 搜索关键词： | 硅酸铋闪烁晶体 下降法 坩埚 坩埚下降法生长 硅酸铋晶体 水平旋转 生长 | ||
【主权项】：
1.一种硅酸铋晶体的旋转下降法生长工艺，其特征在于，采用坩埚下降法生长硅酸铋晶体，在坩埚下降的同时使坩埚水平旋转。
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