[发明专利]半导体元件的内连线制造方法在审

专利信息
申请号: 201810235338.3 申请日: 2018-03-21
公开(公告)号: CN110299319A 公开(公告)日: 2019-10-01
发明(设计)人: 李韦坤 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开一种半导体元件的内连线制造方法,其包括:首先,提供晶片,其包括绝缘层,其中绝缘层具有至少一凹洞。接着,在绝缘层上形成牺牲材料,其填满至少一凹洞。接着,进行第一次化学研磨,以磨除位于绝缘层上的牺牲材料以及部分绝缘层,并保留位于凹洞内的牺牲材料。之后,移除位于凹洞内的牺牲材料。在移除位于凹洞内的牺牲材料之后,依序在绝缘层上形成阻隔层与金属材料,其中阻隔层形成于凹洞内,而金属材料覆盖绝缘层,并填满凹洞。接着,进行第二次化学研磨,以磨除位于绝缘层上的金属材料,并保留位于凹洞内的金属材料。
搜索关键词: 绝缘层 凹洞 牺牲材料 金属材料 半导体元件 化学研磨 内连线 阻隔层 填满 移除 覆盖绝缘层 保留 晶片 制造
【主权项】:
1.一种半导体元件的内连线制造方法,其特征在于,包括:提供一晶片,其包括一绝缘层,其中该绝缘层具有至少一凹洞;在该绝缘层上形成一牺牲材料,其填满该至少一凹洞;进行一第一次化学研磨,以磨除位于该绝缘层上的该牺牲材料以及部分绝缘层,并保留位于该至少一凹洞内的该牺牲材料;移除位于该至少一凹洞内的该牺牲材料;在移除位于该至少一凹洞内的该牺牲材料之后,依序在该绝缘层上形成一阻隔层与一金属材料,其中该阻隔层形成于该至少一凹洞内,而该金属材料覆盖该绝缘层,并填满该至少一凹洞;以及进行一第二次化学研磨,以磨除位于该绝缘层上的该金属材料,并保留位于该至少一凹洞内的该金属材料。
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