[发明专利]电阻式存储器元件及其制作方法在审
| 申请号： | 201810232230.9 | 申请日： | 2018-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN110311036A | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 曾柏皓;李峰旻 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张宇园 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种电阻式存储器元件(resistive memory)包括：第一电极层、第一过渡金属氧化物层、第二过渡金属氧化物层以及第二电极层。其中，第一电极层包括钨(Tungsten，W)。第一过渡金属氧化物(transition metal oxides，TMO)层位于第一电极层上，且包括钛(Titanium，Ti)。第二过渡金属氧化物层，位于第一过渡金属氧化物层上，且包括硅(Silicon，Si)。第二电极层，位于第二过渡金属氧化物层上，且不包括钨。第一过渡金属氧化物层具有大于该第二过渡金属氧化物层的介电常数(dielectric constant)。 | ||
| 搜索关键词： | 过渡金属氧化物层 第一电极 电阻式存储器元件 第二电极 过渡金属氧化物 介电常数 制作 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式存储器元件(resistive memory)包括：一第一电极层，包括钨(Tungsten，W)；一第一过渡金属氧化物(transition metal oxides，TMO)层，位于该第一电极层上，且包括钛(Titanium，Ti)；一第二过渡金属氧化物层，位于该第一过渡金属氧化物层上，且包括硅(Silicon，Si)；以及一第二电极层，位于该第二过渡金属氧化物层上，且不包括钨；其中该第一过渡金属氧化物层具有大于该第二过渡金属氧化物层的一介电常数(dielectric constant)。
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