[发明专利]铟铬钕三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法在审
| 申请号： | 201810178000.9 | 申请日： | 2018-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN110230097A | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 代丽;刘春蕊;韩县博;邵瑀 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B15/00;C30B15/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150080 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明属于光学晶体材料领域，具体涉及铟铬钕三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法。该晶体采用提拉法生长。其特征在于它是由Nb2O5、Li2CO3、In2O3、Cr2O₃和Nd2O3五种原料制备的，其中所述Nb2O5、Li2CO3、In2O3、Cr2O₃和Nd2O3的浓度分别为50.79mol%、48.05mol%、1mol%、0.15mol%和0.01mol%。本发明制备的铟铬钕三掺杂铌酸锂晶体的光泽度高，无裂纹，在670nm处吸收强度较大，可被670nm波长的泵浦光源激发，与激光商业二极管有良好的匹配，并且抗光损伤能力较高。在发光显示、太阳能电池、固体激光器、反斯托克斯制冷等领域都具有重要的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂铌酸锂 制备 光学晶体材料 抗光损伤能力 固体激光器 提拉法生长 二极管 太阳能电池 泵浦光源 发光显示 原料制备 光泽度 晶体的 波长 制冷 匹配 激光 激发 吸收 应用 | ||
【主权项】：
1.一种铟铬钕三掺杂铌酸锂晶体，其特征在于它是由Nb2O5、Li2CO3、In2O3、Cr2O3和Nd2O3 制备的。
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