[发明专利]一种高磁致伸缩系数Fe-Ga基薄带及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810126561.4 申请日: 2018-02-08
公开(公告)号: CN108251753B 公开(公告)日: 2020-11-20
发明(设计)人: 沙玉辉;雷蕃;左良;张芳;和正华 申请(专利权)人: 东北大学
主分类号: C22C38/06 分类号: C22C38/06;C22C38/12;C22C38/04;C22C38/60;C21D8/12;C23C8/26;C23C8/80;H01L41/20;H01L41/47
代理公司: 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人: 李馨
地址: 110819 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及一种高磁致伸缩系数Fe‑Ga基薄带及其制备方法。本发明采用模铸、板坯连铸、薄板坯连铸以及薄带连铸的板坯,利用传统的轧制和退火工艺可以简单高效地进行规模生产;建立低温固有抑制剂+渗氮的抑制剂体系,控制热处理和轧制工艺析出细小Cu2S、Nb(C,N)和V(C,N)或者其复合析出物作为主要固有抑制剂,当固有抑制力不足时,二次再结晶退火前利用渗氮补充形成AIN或者BN等氮化物,实现抑制力柔性化控制;精细调控冷轧参数保证初次再结晶获得细小均匀的组织和有利的织构,实现二次再结晶前组织、织构及抑制剂的协调匹配,获得完善且锋锐Goss({110}001)织构的二次再结晶。本发明Fe‑Ga基薄带成品磁致伸缩系数(3/2)λs高达220~370ppm。
搜索关键词: 一种 高磁致 伸缩 系数 fe ga 基薄带 及其 制备 方法
【主权项】:
1.高磁致伸缩系数Fe‑Ga基薄带,其特征在于,其成分按重量百分比为:Ga:15~32%,C:0.001~0.12%,Al:0.005~0.08%,Nb:0.03~0.75%,余量为Fe和其它不可避免的杂质。
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