[发明专利]直拉法硅棒生产过程中快速收尾方法有效
申请号: | 201810109552.4 | 申请日: | 2018-02-05 |
公开(公告)号: | CN108660507B | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 潘连胜;秦朗;何翠翠 | 申请(专利权)人: | 锦州神工半导体股份有限公司 |
主分类号: | C30B15/22 | 分类号: | C30B15/22 |
代理公司: | 锦州辽西专利事务所(普通合伙) 21225 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 121016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种直拉法硅棒生产过程中快速收尾方法,其特殊之处是步骤1:将硅晶体原料加入到坩埚中融化,形成稳定流动的熔体;步骤2:进行引细径操作,直径为4‑5mm,长度在200‑300mm;步骤3:进行放大,到达目标直径时,进行等径操作,至晶体重量达到设定目标值时即坩埚内残留重量为总投料量的4%‑40%;步骤4:进行收尾操作,通入氩气,控制压力为1‑10KPa,设置:0.5rpm<晶转≤10rpm,埚转设置为0‑15rpm,对晶体的生长速度和坩埚上升速度进行相应控制;步骤5:收尾结束,晶体脱离液体后,进入冷却环节,直至取出单晶。有益效果是:快速简洁,利用硅棒在溶液内驻留一段时间,让内部进行生长,实现快速收尾,可以使拉晶成功率达到90%以上,大大缩短生产时间,提高生产效率。 | ||
搜索关键词: | 直拉法硅棒 生产过程 快速 收尾 方法 | ||
【主权项】:
1.一种直拉法硅棒生产过程中快速收尾方法,其特征是:步骤如下:步骤1:将一定重量的硅晶体原料加入到坩埚中融化,形成稳定流动的熔体;步骤2:进行引细径操作,晶体直径为3‑5mm、长度为200‑300mm;步骤3:进行放大,达到目标直径时,进行等径操作,直至晶体重量达到设定目标值时即坩埚内残留重量为总投料量的4%‑40%,进入下一步操作;步骤4:进行收尾操作,通入氩气,控制压力为1‑10KPa,设置:0.5rpm<晶转≤10rpm,埚转设置为0‑15rpm,对晶体的生长速度和坩埚上升速度进行以以下控制:步骤4.1晶体生长速度为0.15‑0.75mm/min,坩埚上升速度为晶体生长速度的0‑0.2倍,生长时间1-8min,晶体长度L=0.15‑6mm;步骤4.2晶体生长速度为0.05‑0.45mm/min,坩埚上升速度为晶体生长速度的0‑0.3倍,生长时间1‑6min,晶体长度L=0.05‑2.7mm;步骤4.3晶体生长速度为0.1‑0.55mm/min,坩埚上升速度为晶体生长速度的0‑0.4倍,晶体生长时间1‑10min,晶体长度L=0.1‑5.5mm;步骤4.4晶体生长速度设为0.15‑0.75mm/min,坩埚上升速度为晶体生长速度的0‑0.3倍,晶体生长时间1‑8min,晶体长度L=0.15‑6mm;步骤4.5晶体生长速度为0.1‑0.55mm/min,坩埚上升速度为晶体生长速度的0‑0.03倍,晶体生长时间1‑10min,晶体长度L=0.1‑5.5mm;步骤4.6晶体生长速度为0.05‑0.3mm/min,坩埚上升速度为晶体生长速度的0‑0.05倍,晶体生长时间为1‑15min,晶体长度L=0.05‑4.5mm;步骤4.7晶体生长速度和坩埚上升速度为0mm/min,晶转速度以0.01‑0.1转/min的速率下降,直至降到1转,晶体生长时间为29‑123min;步骤5:收尾结束,晶体脱离液体后,进入冷却环节,直至取出单晶。
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