[发明专利]一种在重度污染低洼盐碱地进行苗圃花卉种植的方法

摘要

本发明提供了一种在重度污染低洼盐碱地进行苗圃花卉种植的方法，采用了特制的生物改良肥料对重度盐碱地进行改良，已经公开的专利中已经公开了同温层芽胞杆菌对改良盐碱地的应用，但是土壤脱盐率只有55%，而应用于重度盐碱地，效果并不明显，为了提高脱盐效果，本发明中将比莱青霉和点青霉与同温层芽胞杆菌一起应用，将土壤脱盐率提高至95%以上。针对重度低洼盐碱地盐度高、碱度高，排水困难的特点，通过埋设暗管、挖水处理坑对水进行过滤和盐分隔离、挖通到地下水的集水井排水的方式，比传统的挖排水沟的方式排水效果好很多，解决了低洼盐碱地地区的盐害和涝害问题。

主权项

1.一种在重度污染低洼盐碱地进行苗圃花卉种植的方法，其特征在于，按照下述步骤进行：A、在低洼盐碱地的中心挖大坑，每亩挖一大坑，深度为3‑5m，面积为20‑30m2，并在内围用15‑25cm混凝土固定，用挖出的土将深坑四周的地面垫高越5‑10cm，形成苗圃；B、在坑内中间部位挖直径为1m的集水井，深度以达到地下水为止，坑的其余部分从高到低依次垫上原土层、细砂层、砾石层；最终高度与四周齐平；C、田间埋设暗管：暗管直径12cm，暗管周壁180°一侧设置渗水孔；暗管间距5米，埋深1.2米，长度10‑15米，坡降比0.3‑0.7%；暗管端部通入坑中；D、采用深耕的方式，将土进行翻耕、平整，翻耕的深度在20‑30cm；E、待雨季过后，将过磷酸钙抛洒在田中，再次翻耕、平整，整好苗床，按畦带沟宽90‑110cm、高20‑30cm作畦，采用单行垄作栽培，垄间距90‑110cm，株距20‑40cm；F、在垄中间开种植坑，先在坑内放入生物改良肥料，放入花卉树苗后，原土回填；G、定期追加生物改良肥料。