[发明专利]一种适用于圆导体绕组高频损耗分析与计算方法有效
| 申请号： | 201810070552.8 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN107992714B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 陈为;柳百毅 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | G06F30/23 | 分类号： | G06F30/23 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种适用于圆导体绕组高频损耗分析与计算方法，其中分析方法包括以下步骤：步骤S1：将圆导体等效为方导体；步骤S2：在导体周围磁场满足一维分布条件下，通过一维电磁场涡流方程求得方导体的电流密度分布，并结合圆导体和方导体电流密度分布的关系，以此建立圆导体的绕组损耗模型。本发明模型简单，便于分析和计算；将圆导体的涡流效应分解为集肤效应和邻近效应，并从集肤效应和邻近效应分别作用下，分析并仿真验证圆导体和方导体的电流密度分布规律；能够依据一维电磁场涡流方程求解所得的方导体电流密度分布公式，较为精确地推算出圆导体的涡流损耗模型。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 导体 绕组 高频 损耗 分析 计算方法 | ||
【主权项】：
一种适用于圆导体绕组高频损耗分析方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤S1：将圆导体等效为方导体；步骤S2：在导体两侧磁场强度分布满足一维近似的条件下，将磁场强度分解为邻近效应分量和集肤效应分量；步骤S3：通过一维电磁场涡流方程分别求得方导体在邻近效应磁场分量和集肤效应磁场分量分别作用下的电流密度分布，并结合圆导体和方导体电流密度分布的关系，以此建立圆导体的绕组损耗模型。
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