[发明专利]一种制备低损耗巨介电常数介质陶瓷材料的方法在审
| 申请号： | 201810069586.5 | 申请日： | 2018-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN108178628A | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 李玲霞;卢特;张宁;王文波 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C04B35/49 | 分类号： | C04B35/49 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 张宏祥 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备低损耗巨介电常数介质陶瓷材料的方法，先将SrTiO3、Nb2O5、SiO2、In2O3、CaZrO3和玻璃粉，按质量百分比97.518％、0.7404％、0.2502％，0.07021％、0.8009％、0.6202％进行配料，经球磨、烘干、过筛，再添加7wt％石蜡进行造粒，压制成型为坯体；坯体排胶后于1300～1350℃还原气氛烧结，制成低损耗巨介电常数陶瓷电容器介质材料。本发明具有较低介电损耗(tanσ～0.03)和巨介电常数(ε25℃～1.55×105)。 | ||
| 搜索关键词： | 巨介电常数 低损耗 介质陶瓷材料 坯体 制备 陶瓷电容器介质 低介电损耗 质量百分比 还原气氛 石蜡 烧结 玻璃粉 过筛 烘干 排胶 球磨 造粒 | ||
【主权项】：
1.一种制备低损耗巨介电常数介质陶瓷材料的方法，具有如下步骤：(1)将SrTiO3、Nb2O5、SiO2、In2O3、CaZrO3和玻璃粉，按质量百分比97.518％、0.7404％、0.2502％，0.07021％、0.8009％、0.6202％进行配料，混合球磨4小时后于100℃烘干，并过40目分样筛；(2)造粒：将步骤(1)粉料，添加7wt％石蜡作为粘结剂，过80目筛进行造粒，再用粉末压片机压制成坯体；(3)排胶：将步骤(2)的坯体进行排胶操作；(4)烧结：将排胶后的坯体置于还原气氛炉，通入N2或N2/H2混合气体，进行还原气氛烧结，烧结温度为1300～1350℃，保温3～3.5h，制成低损耗巨介电常数材料。
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