[发明专利]一种立体结构磁性随机存储器的制作方法

摘要

本发明公开了一种立体结构磁性随机存储器的制作方法，先在衬底上沉积第一电极层，根据预设的MTJ单元层数量，按照同样的方法在第一电极层上依次生成多层的MTJ单元，形成立体结构；然后在立体结构中每列MTJ单元之间刻蚀出沟道，在沟道中制作选择开关管，最后在沟道中进行氧化物沉积，并沿沟道的侧墙刻蚀掉沉积的氧化物，在沟道中进行衬底离子注入和外延，并刻蚀出隔离槽，对隔离槽用绝缘材料填充，最后再进行离子注入完成制备。本发明将平面结构立体化，在不增加面积的情况下，使得磁性随机存储器的容量成倍增加。

主权项

1.一种立体结构磁性随机存储器的制作方法，其特征在于，所述立体结构磁性随机存储器的制作方法，包括：步骤1、在衬底上沉积第一电极层；步骤2、在第一电极层之上通过光刻和刻蚀生成第一层MTJ单元；步骤3、在第一层MTJ单元上进行氧化物沉积和化学机械抛光，并沉积保护层；步骤4、刻蚀第一层MTJ单元对应的保护层，在保护层和第一层MTJ单元上沉积第二电极层；步骤5、根据预设的MTJ单元层数量，采用步骤2‑步骤4的方法在第二电极层之上继续进行堆叠，形成立体结构；步骤6、在立体结构中每列MTJ单元之间刻蚀出沟道，刻蚀出的沟道底部达到衬底；步骤7、沿沟道的侧墙通过湿法刻蚀，按照第一预设的深度刻蚀掉每个MTJ单元对应的氧化物；步骤8、对沟道及刻蚀掉的氧化物部分采用多晶硅进行回填，并重新刻蚀出沟道，刻蚀出的沟道底部达到衬底的上部；步骤9、沿沟道的侧墙按照第二预设的深度刻蚀掉每个MTJ单元对应的多晶硅；步骤10、在沟道中进行氧化物沉积，并沿沟道的侧墙刻蚀掉沉积的氧化物；步骤11、在沟道中进行衬底离子注入和外延，并刻蚀出隔离槽，对隔离槽用绝缘材料填充，最后再进行离子注入完成制备。