[发明专利]一种立体结构磁性随机存储器的制作方法有效
申请号: | 201810048261.9 | 申请日: | 2018-01-18 |
公开(公告)号: | CN110061125B | 公开(公告)日: | 2023-06-16 |
发明(设计)人: | 刘少鹏;陆宇 | 申请(专利权)人: | 中电海康集团有限公司 |
主分类号: | H10N50/10 | 分类号: | H10N50/10;H10N50/01;H10B61/00 |
代理公司: | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人: | 杨天娇 |
地址: | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种立体结构磁性随机存储器的制作方法,先在衬底上沉积第一电极层,根据预设的MTJ单元层数量,按照同样的方法在第一电极层上依次生成多层的MTJ单元,形成立体结构;然后在立体结构中每列MTJ单元之间刻蚀出沟道,在沟道中制作选择开关管,最后在沟道中进行氧化物沉积,并沿沟道的侧墙刻蚀掉沉积的氧化物,在沟道中进行衬底离子注入和外延,并刻蚀出隔离槽,对隔离槽用绝缘材料填充,最后再进行离子注入完成制备。本发明将平面结构立体化,在不增加面积的情况下,使得磁性随机存储器的容量成倍增加。 | ||
搜索关键词: | 一种 立体 结构 磁性 随机 存储器 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种立体结构磁性随机存储器的制作方法,其特征在于,所述立体结构磁性随机存储器的制作方法,包括:步骤1、在衬底上沉积第一电极层;步骤2、在第一电极层之上通过光刻和刻蚀生成第一层MTJ单元;步骤3、在第一层MTJ单元上进行氧化物沉积和化学机械抛光,并沉积保护层;步骤4、刻蚀第一层MTJ单元对应的保护层,在保护层和第一层MTJ单元上沉积第二电极层;步骤5、根据预设的MTJ单元层数量,采用步骤2‑步骤4的方法在第二电极层之上继续进行堆叠,形成立体结构;步骤6、在立体结构中每列MTJ单元之间刻蚀出沟道,刻蚀出的沟道底部达到衬底;步骤7、沿沟道的侧墙通过湿法刻蚀,按照第一预设的深度刻蚀掉每个MTJ单元对应的氧化物;步骤8、对沟道及刻蚀掉的氧化物部分采用多晶硅进行回填,并重新刻蚀出沟道,刻蚀出的沟道底部达到衬底的上部;步骤9、沿沟道的侧墙按照第二预设的深度刻蚀掉每个MTJ单元对应的多晶硅;步骤10、在沟道中进行氧化物沉积,并沿沟道的侧墙刻蚀掉沉积的氧化物;步骤11、在沟道中进行衬底离子注入和外延,并刻蚀出隔离槽,对隔离槽用绝缘材料填充,最后再进行离子注入完成制备。
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