[发明专利]一种基于离子调控石墨烯膜层间距的方法有效
| 申请号： | 201810036744.7 | 申请日： | 2018-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN110040731B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 方海平;石国升;梁珊珊;江杰;杨一舟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海应用物理研究所 |
| 主分类号： | C01B32/198 | 分类号： | C01B32/198 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;邹玲 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于离子调控石墨烯膜层间距的方法。该方法包括下述步骤：将氧化石墨烯膜在无机盐水溶液或无机碱的水溶液中浸润0.2‑1h即可；无机盐水溶液或无机碱的水溶液的阴离子的浓度为0.10‑1.0mol/L。本发明的方法可精确控制干燥状态下的氧化石墨烯膜的层间距在 |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 离子 调控 石墨 烯膜层 间距 方法 | ||
【主权项】：
1.一种润湿的层间距可控的氧化石墨烯膜的处理方法，其特征在于，其包括下述步骤：将氧化石墨烯膜在无机盐水溶液或无机碱的水溶液中浸润0.2‑1h即可；其中，所述无机盐水溶液或所述无机碱的水溶液的阴离子的浓度为0.10‑1.0mol/L。
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