[发明专利]黑体辐射源及黑体辐射源的制备方法在审
| 申请号： | 201810027825.0 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN110031108A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 魏洋;王广;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/00 | 分类号： | G01J5/00;G01J5/52 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种黑体辐射源及一种黑体辐射源的制备方法。所述黑体辐射源包括一黑体辐射腔，该黑体辐射腔具有一内表面，其中，所述黑体辐射腔的内表面设置多个碳纳米管，且该多个碳纳米管的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔的内表面。所述黑体辐射源的制备方法包括以下步骤：提供一黑体辐射腔，该黑体辐射腔具有一内表面；在所述黑体辐射腔的内表面形成多个碳纳米管，该多个碳纳米管的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔的内表面。该黑体辐射源以碳纳米管材料为腔内表面材料，具有较高的发射率；且该黑体辐射源的制备方法简单、易行。 | ||
| 搜索关键词： | 黑体辐射腔 黑体辐射源 内表面 碳纳米管 制备 垂直 碳纳米管材料 腔内表面 发射率 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种黑体辐射源，该黑体辐射源包括一黑体辐射腔，该黑体辐射腔具有一内表面，其特征在于，所述黑体辐射腔的内表面设置多个碳纳米管，且该多个碳纳米管的延伸方向基本垂直于所述黑体辐射腔的内表面。
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