[发明专利]电源有效
| 申请号： | 201780075448.1 | 申请日： | 2017-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN110036449B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | A·芬纳;J·L·马克曼;D·A·鲁本;J·R·沃森 | 申请（专利权）人： | 美敦力公司 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06;G21H1/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱慰民;张鑫 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了电源的各种实施例和形成这种电源的方法。电源可包括外壳、被设置在所述外壳内的衬底、以及被设置在所述衬底内并且适配成发射放射性粒子的放射性材料。所述电源可进一步包括被设置在所述衬底的外表面上的扩散阻挡层，以及被设置在所述外壳内的载体材料，其中所述载体材料包括氧化物材料。 | ||
| 搜索关键词： | 电源 | ||
【主权项】：
1.一种电源，包括：外壳；衬底，所述衬底被设置在所述外壳内；放射性材料，所述放射性材料被设置在所述衬底内并且适配成发射放射性粒子；扩散阻挡层，所述扩散阻挡层被设置在所述衬底的外表面上；以及载体材料，所述载体材料被设置在所述外壳内，其中所述载体材料包括氧化物材料。
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- 本发明公开了一种p‑i‑n结及制备方法、二极管和β核电池，p‑i‑n结由下到上依次为GaN缓冲层、GaN的n型掺杂层、掺入层i层和GaN的p型掺杂层，所述掺入层i层为由不同带隙的半导体材料薄层周期性地交替生长而成的量子阱结构，所述不同带隙的半导体材料包括GaN，还至少包括一种比GaN更宽带隙的半导体材料。本发明一方面通过增大耗尽区的宽度来增加电子空穴对的收集空间，减少扩散运动所带来的影响，从而可以产生更多的载流子，获得更大电流，另一方面引入了更宽带隙的半导体，有利降低由载流子扩散引起的反向饱和电流获得更高的开路电压，进而获得更高的能量转换效率。
- 基于ZnO纳米线阵列的三维MIS结构及其制备方法及β核电池-202111518664.3
- 王旭;周春林;吴巍伟;张劲松;杨毓枢;陈桎远;王磊;冯焕然;苏晨;徐盼 - 中国核动力研究设计院
- 2021-12-13 - 2022-03-18 - G21H1/06
- 本发明公开了基于ZnO纳米线阵列的三维MIS结构及其制备方法及β核电池，制备方法包括以下步骤：S1、水热生长ZnO纳米线阵列：采用由硝酸锌和六亚甲基四胺组成的生长溶液，通过水热反应在目标基底上形成ZnO纳米线阵列；S2、采用ALD法在步骤S1制备的ZnO纳米线阵列表面沉积绝缘层；S3、采用ALD法在步骤S2制备的绝缘层表面沉积辐射源层。通过本发明所述制备方法制备的三维MIS结构不仅能够提高辐射源与换能器件的接触面积，进而提高辐射源的利用率，且辐射源可作为肖特基结的金属材料，从而简化了电池结构。
- GaN基肖特基二极管、β核电池及其制备方法-202111518689.3
- 杨毓枢;周春林;吴巍伟;王旭;陈桎远;李培咸;冯焕然;苏晨;王磊;邓志勇;张劲松 - 中国核动力研究设计院
- 2021-12-13 - 2022-03-18 - G21H1/06
- 本发明公开了GaN基肖特基二极管、β核电池及其制备方法，GaN基肖特基二极管，包括n型GaN薄膜、金属层和石墨烯，所述n型GaN薄膜置于金属层和石墨烯之间，所述金属层和石墨烯分别作为GaN基肖特基二极管的底电极和顶电极。本发明所述GaN基肖特基二极管中的n型GaN薄膜采用外延生长技术获得，具有超薄的优点，且本发明的GaN基肖特基二极管中采用石墨烯作为电极，使得制备的GaN基肖特基二极管不仅具有厚度薄的优点。
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