[发明专利]雪崩光电二极管有效
| 申请号： | 201780060588.1 | 申请日： | 2017-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN109804472B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 泷本贵博;夏秋和弘;內田雅代 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚;习冬梅 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 雪崩光电二极管包括：第一导电型半导体层(2)，形成于第一导电型的半导体基板(1)内；第一第二导电型半导体层(3)，在俯视基板时以隔开间隔包围第一导电型半导体层(2)的方式形成；第二第二导电型半导体层(5)，以与第一导电型半导体层(2)的底部相接的方式形成在比第一导电型半导体层(2)深的位置；以及第三第二导电型半导体层(6)，以与第二第二导电型半导体层(5)的底部相接的方式形成在比第二第二导电型半导体层(5)深的位置。由第一导电型半导体层(2)与第二第二导电型半导体层(5)形成雪崩结。以使半导体基板(1)与第一导电型半导体层(2)电气分离的方式将第一、第三第二导电型半导体层(3、6)连接。 | ||
| 搜索关键词： | 雪崩 光电二极管 | ||
【主权项】：
1.一种雪崩光电二极管，其特征在于，包括：第一导电型半导体层(2)，其形成于第一导电型的半导体基板(1)内；第一第二导电型半导体层(3)，其在俯视所述半导体基板(1)时以隔开间隔包围所述第一导电型半导体层(2)的方式形成在所述半导体基板(1)内；第二第二导电型半导体层(5、25)，其以与所述第一导电型半导体层(2)的底部的至少一部分相接的方式形成在所述半导体基板(1)内的比所述第一导电型半导体层(2)深的位置；以及第三第二导电型半导体层(6)，其以与所述第二第二导电型半导体层(5、25)的底部相接的方式形成在所述半导体基板(1)内的比所述第二第二导电型半导体层(5、25)深的位置；由所述第一导电型半导体层(2)与所述第二第二导电型半导体层(5、25)形成雪崩结，以使所述半导体基板(1)与所述第一导电型半导体层(2)电气分离的方式，将所述第一第二导电型半导体层(3)与所述第三第二导电型半导体层(6)连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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