[发明专利]磁化反转元件、磁阻效应元件、集成元件及集成元件的制造方法在审
| 申请号： | 201780004344.1 | 申请日： | 2017-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN108391452A | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木智生;盐川阳平 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L21/8239;H01L27/105;H01L29/82;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;陈明霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的磁化反转元件依次具有：单晶基板、磁化稳定化层、第一铁磁性金属层和接合层，至少上述单晶基板、上述磁化稳定化层及上述第一铁磁性金属层单晶化。 | ||
| 搜索关键词： | 磁化 磁化反转元件 铁磁性金属层 单晶基板 集成元件 稳定化层 磁阻效应元件 单晶化 接合层 制造 | ||
【主权项】：
1.一种磁化反转元件，其中，依次具有：单晶基板、磁化稳定化层、第一铁磁性金属层和接合层，至少所述单晶基板、所述磁化稳定化层及所述第一铁磁性金属层整体单晶化。
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- 实施例涉及一种磁性传感器设备（700），其包括磁电阻结构（710）。该磁电阻结构（710）包括磁性自由层（770），其被配置成在该自由层（770）中自发地生成闭合通量磁化模式（775）。该磁电阻结构（710）还包括具有非闭合通量参考磁化模式（755）的磁性参考层（750）。该磁性传感器设备（700）还包括被配置成在磁性自由层（770）中生成偏置场的磁性偏置结构（780），该偏置场具有垂直于参考磁化模式（755）的非零磁性偏置场分量。
- 磁性纳米线器件、其制作方法与磁性纳米线的构筑方法-201710264857.8
- 龙世兵;李磊磊;滕蛟;刘琦;吕杭炳;刘明 - 中国科学院微电子研究所
- 2017-04-20 - 2019-06-21 - H01L43/08
- 本申请提供了一种磁性纳米线器件、其制作方法与磁性纳米线的构筑方法。该磁性纳米线器件包括依次叠置设置的衬底、第一电极层、绝缘层、原子阻挡层和第二电极层，其中，第一电极层与第二电极层中的一个电极层为铁磁电极层，另一个电极层为非磁性电极层，磁性纳米线器件还包括设置在铁磁电极层与绝缘层之间的原子阻挡层，原子阻挡层包括纳米通孔。本申请的磁性纳米线器件可以有效精确地控制磁性纳米线的宽度以及位置，实现了纳米线的限域与稳定。该磁性纳米线器件实现了磁电耦合效应，为研究新型多级存储器件提供了载体。
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