[实用新型]一种新型中子辐射防护屏蔽结构有效
申请号: | 201721900774.5 | 申请日: | 2017-12-29 |
公开(公告)号: | CN210073344U | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 朱伟;沈厚平;匡少宝;刘小祥;戚进祥;李圆媛;吴雄鹰;沈一聪;邓锐;赵青;朱贤江 | 申请(专利权)人: | 安徽应流久源核能新材料科技有限公司 |
主分类号: | G21F3/04 | 分类号: | G21F3/04 |
代理公司: | 11548 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 李静 |
地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 一种新型中子辐射防护屏蔽结构,本实用新型涉及核电站反应堆辐射屏蔽设备技术领域,它包含外包壳、一号屏蔽墙和二号屏蔽墙;外包壳裹设在一号屏蔽墙和二号屏蔽墙的外侧,且一号屏蔽墙设置在二号屏蔽墙的内侧;一号屏蔽墙和二号屏蔽墙均由数块烧结块构成;数块烧结块通过两两左右拼接的方式呈圆弧状设置,且一号屏蔽墙和二号屏蔽墙从上到下依次设有数层烧结块;同一纵向面上的上层烧结块和下层烧结块采用错缝拼接的方式连接固定;所述的一号屏蔽墙和二号屏蔽墙处于同一水平面上的烧结块之间采用错缝拼接的方式连接固定,采用相应的错缝结构,避免了中子入射方向的贯穿缝,并且有很好的活化和耐热的功能,能满足使用要求。 | ||
搜索关键词: | 屏蔽墙 烧结块 拼接 连接固定 外包壳 错缝 核电站反应堆 设备技术领域 本实用新型 从上到下 错缝结构 辐射屏蔽 屏蔽结构 入射方向 同一水平 中子辐射 贯穿缝 圆弧状 耐热 活化 下层 防护 上层 | ||
【主权项】:
1.一种新型中子辐射防护屏蔽结构,其特征在于:它包含外包壳、一号屏蔽墙和二号屏蔽墙;外包壳裹设在一号屏蔽墙和二号屏蔽墙的外侧,且一号屏蔽墙设置在二号屏蔽墙的内侧;一号屏蔽墙和二号屏蔽墙均由数块烧结块构成;数块烧结块通过两两左右拼接的方式呈圆弧状设置,且一号屏蔽墙和二号屏蔽墙从上到下依次设有数层烧结块;同一纵向面上的上层烧结块和下层烧结块采用错缝拼接的方式连接固定;所述的一号屏蔽墙和二号屏蔽墙处于同一水平面上的烧结块之间采用错缝拼接的方式连接固定。/n
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