[实用新型]一种快速响应LDO电路

摘要

本实用新型公开了一种快速响应LDO电路，包括：偏置电路、快速反应电路、负载电路；所述偏置电路由：PMOS晶体管M1、M2、NMOS晶体管M3、M4、M5、运算放大器AMP构成，所述快速反应电路由：PMOS晶体管M6、M7、M9、M11、M12、MP、M14、NMOS晶体管M8、M10、M13、M15、电容C1构成，所述负载电路由电容CL、电阻RL构成，本实用新型跟现有技术对比具有快速瞬态响应的特点。

主权项

1.一种快速响应LDO电路，其特征在于，包括：偏置电路(1)、快速反应电路(2)、负载电路(3)；所述偏置电路(1)由：PMOS晶体管M1、M2、NMOS晶体管M3、M4、M5、运算放大器AMP构成，所述M1的源极与地GND连接，所述M1的栅、漏极、所述M2的源极分别与所述运算放大器AMP的反相输入端连接，所述运算放大器AMP的同相输入端连接输入参考电压Vref，所述M2的漏、栅极、所述运算放大器AMP的输出端、所述M3的漏、栅极分别连接于第一节点a，所述第一节点a与所述偏置电路(1)的驱动电源Vmir连接，所述M4的漏、栅极相互连接并与所述M3的源极连接，所述M5的漏、栅极相互连接并与所述M4的源极连接，所述M5的源极与地GND连接，所述M1、M2的衬底与电源VDD连接，所述M3、M4、M5的衬底与地GND连接；所述快速反应电路(2)由：PMOS晶体管M6、M7、M9、M11、M12、MP、M14、NMOS晶体管M8、M10、M13、M15、电容C1构成，所述M6的栅、漏极相互连接并与所述M7的源极连接，所述M7的栅、漏极相互连接并与所述M8的漏极、所述M10的栅极连接，所述M8的栅极与所述M14的栅极连接，所述M8的源极、所述M14的漏极、所述M15的漏极分别连接于第二节点A，所述M15的源极与地GND连接，所述M9的栅、漏极分别与所述M12的栅极、所述M10的漏极连接，所述M11的栅、漏极分别与所述M12的源极连接，所述M12的漏极分别与所述M13的栅、漏极、所述MP的栅极、所述电容C1的一端连接，所述M10的源极、所述M13的源极、所述电容C1的另一端分别与地GND连接，所述MP的漏极与所述M14的源极连接，所述M6、M9、M11、MP的源极分别与电源VDD连接，所述M6、M7、M9、M11、M12、M14、MP的衬底与电源VDD连接，所述M8、M10、M13、M15的衬底与地GND连接；所述负载电路(3)由电容CL、电阻RL构成，所述电容CL、电阻RL互相并接；所述运算放大器AMP的反相输入端与所述M8的栅极连接，所述M5的栅、漏极分别与所述M15的栅极连接，所述负载电路(3)的一端分别与所述MP的漏极、所述M14的源极连接于第三节点C，所述第三节点C与所述快速响应LDO电路的输出端b1连接。