[实用新型]一种日盲紫外单光子成像系统有效
| 申请号： | 201721074538.2 | 申请日： | 2017-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN207197676U | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 王兴;刘虎林;田进寿;韦永林;温文龙;何凯;辛丽伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G01J11/00 | 分类号： | G01J11/00;G01J5/20 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司61211 | 代理人： | 汪海艳 |
| 地址： | 710119 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型属于单光子探测技术领域，尤其涉及一种日盲紫外单光子成像系统，紫外单光子信号入射穿过透紫外玻璃；光电阴极与背照式CMOS位于真空腔室内，光电阴极附着于透紫外玻璃表面且正对背照式CMOS，背照式CMOS位于光电阴极相对侧的真空腔室内壁上；光电阴极设置有高压电极引线，高压电极引线与读出电路连接，通过外部高压电源供电；背照式CMOS设置有电极引脚，所述电极引脚与读出电路连接；读出电路与图像采集与显示单元连接。本实用新型采用日盲紫外光电阴极与固体互补金属氧化物半导体相结合的方式，具有光电阴极的高灵敏度、电子轰击半导体的高增益低噪声、固体互补金属氧化物半导体的数字化显示和高帧速的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 光子 成像 系统 | ||
【主权项】：
一种日盲紫外单光子成像系统，其特征在于：包括真空腔室、光电阴极、背照式CMOS、读出电路及图像采集与显示单元；还包括透紫外玻璃，紫外单光子信号入射穿过透紫外玻璃；所述光电阴极与背照式CMOS位于真空腔室内，所述光电阴极附着于透紫外玻璃表面且正对背照式CMOS，所述背照式CMOS位于光电阴极相对侧的真空腔室内壁上；所述光电阴极设置有高压电极引线，高压电极引线与读出电路连接，通过外部高压电源供电；所述背照式CMOS设置有电极引脚，所述电极引脚与读出电路连接；所述读出电路与图像采集与显示单元连接。
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