[实用新型]一种薄膜天线有效
申请号: | 201720947288.2 | 申请日: | 2017-08-01 |
公开(公告)号: | CN206976575U | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
发明(设计)人: | 汪际军 | 申请(专利权)人: | 全普光电科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q5/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种薄膜天线,将纳米天线与金属互连线相互整合,实现了纳米天线层的薄膜态。进一步的,利用纳米天线尺寸小和空间集成度高的特点,可以实现多个纳米天线共用的一层纳米天线层;利用恒定图案天线和变换图案天线的变换和排列,实现不同频段天线的集成于一层;进一步的,对纳米天线底部的金属接触线的设置,使得薄膜天线整体结构的纵向高度减小;此外,封闭空腔的设置,提高了纳米天线层的信号利用率;介质梁配合封闭空腔的设置,不仅提高封闭空腔的体积,还提高有利于更多频段天线的集成。本实用新型的薄膜天线及其制备方法,均可以与现有的CMOS工艺相兼容,无需额外增加成本,有利于大规模生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 天线 | ||
【主权项】:
一种薄膜天线,其特征在于,包括:一绝缘衬底层;位于绝缘衬底层中的金属互连线,用于对纳米天线层的信号进行传输;位于绝缘衬底层表面的纳米天线层;其中,纳米天线层底部通过金属接触线与金属互连线连接;位于纳米天线层之间的介质;位于纳米天线层上的覆盖层。
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