[实用新型]基于单光子雪崩二极管的装置和通信系统有效

专利信息
申请号: 201720709830.0 申请日: 2017-06-16
公开(公告)号: CN207339855U 公开(公告)日: 2018-05-08
发明(设计)人: A·维努格帕兰奈尔加拉加库玛里;N·达顿 申请(专利权)人: 意法半导体(R&;D)有限公司
主分类号: H04B10/11 分类号: H04B10/11;H04B10/50;H04B10/60;H04B10/80
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;黄捷
地址: 英国白*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 实用新型涉及基于单光子雪崩二极管的装置和通信系统。该基于单光子雪崩二极管的装置,包括:至少一个单光子雪崩二极管阵列,该至少一个单光子雪崩二极管阵列被配置成用于接收在该装置外部生成的光,其中,该至少一个阵列可被配置成被细分成多个子阵列,每个子阵列能够接收分开的自由空间光通信信道;以及接收器,该接收器被配置成用于接收来自每个子阵列的输出并且基于该接收到的多个子阵列分开的自由空间光通信信道来输出数据。
搜索关键词: 基于 光子 雪崩 二极管 装置 通信 系统
【主权项】:
1.一种基于单光子雪崩二极管的装置,其特征在于,包括:至少一个单光子雪崩二极管阵列,所述至少一个单光子雪崩二极管阵列被配置成用于接收在所述装置外部生成的光,其中,所述至少一个阵列可被配置成被细分成多个子阵列,每个子阵列能够接收分开的自由空间光通信信道;以及接收器,所述接收器被配置成用于接收来自每个子阵列的输出并且基于所述接收到的多个子阵列分开的自由空间光通信信道来输出数据。
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