[实用新型]一种pGaNiGaNnBN中子探测器有效
| 申请号： | 201720159535.2 | 申请日： | 2017-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN206650087U | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 朱志甫;汤彬;邹继军;彭新村 | 申请（专利权）人： | 东华理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/117;H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 344000*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种p‑GaN/i‑GaN/n‑BN中子探测器，该中子探测器由Al2O3衬底层、n‑BN层、i‑GaN层、p‑GaN层组成。本实用新型制备工艺简单、无需单独制备中子转换层，能量分辨率高、探测效率高且结构简单，在航空航天探索、核能利用与开发、放射性同位素的产生应用以及一些特殊领域有重要的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pganigannbn 中子 探测器 | ||
【主权项】：
一种p‑GaN/i‑GaN/n‑BN中子探测器，其特征在于：该探测器包括Al2O3衬底层、n‑BN中子转换层兼电荷收集层、i‑GaN电荷产生层、p‑GaN电荷收集层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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