[实用新型]MIM电容的ESD保护电路及其射频开关装置有效
| 申请号： | 201720103934.7 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN206658047U | 公开（公告）日： | 2017-11-21 |
| 发明（设计）人： | 陆建华;马杰;战吉超 | 申请（专利权）人： | 江苏安其威微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司31300 | 代理人： | 肖华 |
| 地址： | 226200 江苏省南通市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种MIM电容的ESD保护电路，该ESD保护电路由N个通过D极‑S极顺序相连的FET组成，N个FET的G极均接地，其中第一个FET的S极连接到MIM电容的一端，第N个FET的D极连接到MIM电容的另一端，以使得N个FET串联后组成的ESD保护电路与所需保护的MIM电容并联。当MIM电容上由于静电放电产生的电压过大时，使得电流通过本实用新型的ESD保护电路，起到保护MIM电容的作用。本实用新型还提供了一种具有该MIM电容的ESD保护电路的射频开关装置，该射频开关装置可以耐受更高的ESD电压，提高了可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | mim 电容 esd 保护 电路 及其 射频 开关 装置 | ||
【主权项】：
一种MIM电容的ESD保护电路，其特征在于：所述ESD保护电路由N个通过D极‑S极顺序相连的FET组成，其中第一个FET的S极连接到所述MIM电容的一端，第N个FET的D极连接到所述MIM电容的另一端，N为不小于2的整数，所述N个FET的G极均接地。
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