[发明专利]一种QLED器件在审
| 申请号： | 201711460052.7 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN109980104A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 张珈铭;曹蔚然 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种QLED器件，所述QLED器件包括发光层，其中，所述发光层为量子点与HLCT材料组成的复合发光层。本发明中HLCT材料是可以将三线态激子转化为单线态激子，通过荧光共振能量传递将能量传递给量子点增强量子点的发光，而且在较高的驱动电流下，仍然可以保持器件对三线态激子的利用，从而进一步QLED器件的电流效率并且保证器件的效率稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 量子点 三线态激子 发光层 荧光共振能量 单线态激子 复合发光层 电流效率 能量传递 驱动电流 发光 传递 转化 保证 | ||
【主权项】：
1.一种QLED器件，所述QLED器件包括发光层，其特征在于，所述发光层材料由局域激发与电荷激发杂化材料和量子点组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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