[发明专利]一种砷化镓多晶的合成方法及合成装置在审
| 申请号： | 201711455507.6 | 申请日： | 2017-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108103577A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 李超;朱刘;狄聚青;高鹏飞;黄宇彬 | 申请（专利权）人： | 广东先导先进材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/42 | 分类号： | C30B29/42;C30B28/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 511517 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种砷化镓多晶的高压合成方法，包括以下步骤：在真空和保护性气体气氛下，将高纯镓单质和砷单质依次进行升温、均匀化、VGF定向凝固和降温，得到砷化镓多晶；所述VGF定向凝固为：均匀化后采用VGF工艺降温，等温面的移动速率为30～60mm/h。本发明的优势在于高纯、高效、低成本、下游配套。化合物反应为液相‑液相反应，速率比水平双温区的气相‑液相反应快。反应不需要石英管，避免了Si污染液降低了成本。反应完成、均匀化之后的定向凝固步骤借鉴VGF工艺，不需要机械装置，设备简单、密封性能好。本方法得到的砷化镓多晶棒不用切割，避免二次污染。本发明还提供了一种砷化镓多晶的合成装置。 | ||
| 搜索关键词： | 砷化镓 多晶 定向凝固 均匀化 合成装置 液相反应 单质 保护性气体 二次污染 高压合成 机械装置 密封性能 低成本 多晶棒 高纯镓 石英管 双温区 速率比 污染液 高纯 切割 合成 移动 配套 | ||
【主权项】：
1.一种砷化镓多晶的高压合成方法，包括以下步骤：在真空和保护性气体气氛下，将高纯镓单质和砷单质依次进行升温、均匀化、VGF定向凝固和降温，得到砷化镓多晶；所述VGF定向凝固为：均匀化后采用VGF工艺降温，等温面的移动速率为30～60mm/h。
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