[发明专利]一种衰减全内反射光谱仪及其应用有效

专利信息
申请号: 201711431316.6 申请日: 2017-12-26
公开(公告)号: CN108169186B 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 李赫;陈荣桥;褚伍波;江南;郭春娥;郭小咪;戴高乐 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: G01N21/552 分类号: G01N21/552;G01N21/25
代理公司: 上海一平知识产权代理有限公司 31266 代理人: 姜龙;徐迅
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种衰减全内反射(ATR)光谱仪及其应用。具体地,本发明公开了一种衰减全内反射ATR光谱仪,所述光谱仪包含一附件,所述附件包含:ATR晶体部件和支撑件,所述支撑件上设有样品槽,所述ATR晶体部件包括ATR晶体;所述样品槽具有可容纳样品的内腔,所述ATR晶体位于所述样品槽的内腔上方,且与所述样品槽连接。本发明还公开了一种使用所述ATR光谱仪进行检测的检测方法。所述ATR光谱仪和所述检测方法特别适合用于易分层液体和/或细菌样品的检测,且所得检测结果具有更高的准确度。
搜索关键词: 一种 衰减 反射 光谱仪 及其 应用
【主权项】:
1.一种衰减全内反射ATR光谱仪,其特征在于,所述光谱仪包含一附件,所述附件包含:ATR晶体部件和支撑件,所述支撑件上设有样品槽,所述ATR晶体部件包括ATR晶体;所述样品槽具有可容纳样品的内腔,所述ATR晶体位于所述样品槽的内腔上方,且与所述样品槽连接。

2.如权利要求1所述的光谱仪,其特征在于,ATR晶体部件包括固定安装所述ATR晶体的ATR晶体座,所述ATR晶体座与所述样品槽连接。

3.如权利要求1所述的光谱仪,其特征在于,所述ATR晶体的下表面低于所述样品槽的上表面。

4.如权利要求2所述的光谱仪,其特征在于,所述ATR晶体座与所述样品槽密封连接。

5.如权利要求4所述的光谱仪,其特征在于,所述ATR晶体座的下表面设有密封圈副槽;和/或所述样品槽的上表面设有密封圈槽。

6.如权利要求5所述的光谱仪,其特征在于,所述样品槽上设有与所述内腔连通的进样通道和/或出样通道。

7.如权利要求6所述的光谱仪,其特征在于,所述进样通道和/或所述出样通道在所述样品槽上表面的端口位于所述密封圈槽封闭的区域外。

8.如权利要求6所述的光谱仪,其特征在于,进样通道包括第一端口和第二端口,所述进样通道的第一端口设置在样品槽侧壁的上表面,第二端口与内腔连通;所述出样通道包括第三端口和第四端口,所述出样通道的第三端口与内腔连通,第四端口设置在样品槽壁上表面。

9.如权利要求1所述的光谱仪,其特征在于,所述支撑件还包括控温件,所述控温件包括加热部件、控温系统和连接线,所述加热部件布置于所述样品槽下方,所述控温系统设置于所述附件外部,所述加热部件与所述控温部件通过所述连接线连接。

10.一种检测方法,其特征在于,所述方法具有选自下组的一个或多个特征:

1)所述检测方法适于对选自下组的生物样品进行检测:细菌样品、蛋白样品或其组合;

2)相对于使用样品槽上置附件的ATR光谱仪所测得的结果,使用权利要求1所述ATR光谱仪所测得的结果能够避免样样品中各类物质的沉降作用对测试结果产生的干扰。

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