[发明专利]一种基于分数阶忆阻器的混沌电路在审
| 申请号： | 201711421037.1 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN107947914A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 杨宁宁;吴朝俊;徐诚;贾嵘 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H04L9/00 | 分类号： | H04L9/00 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所61214 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于分数阶忆阻器的混沌电路，包括依次连接且形成闭合回路的分数阶电容分数阶电容分数阶电感Lq，所述分数阶电容两端并联有分数阶忆阻器Mq，分数阶电容两端并联负阻G；本发明基于分数阶忆阻器的混沌电路能够准确的模拟真实的广义忆阻器；本发明混沌电路能够进行数值仿真和电路仿真，根据调节参数可产生双涡卷吸引子和单涡卷吸引子，使其成为一种简单的蔡氏混沌电路；分数阶忆阻器无接地限制，且由于为分数阶，更加符合实际，对理论研究和实物研究都具有重要意义，忆阻电路结构简单，易于电路实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 分数 阶忆阻器 混沌 电路 | ||
【主权项】：
一种基于分数阶忆阻器的混沌电路，其特征在于，包括依次连接且形成闭合回路的分数阶电容分数阶电容分数阶电感Lq，所述分数阶电容两端并联有分数阶忆阻器Mq，所述分数阶电容两端并联负阻G。
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