[发明专利]钼及钼合金电极表面Mo5有效

专利信息
申请号: 201711395404.5 申请日: 2017-12-21
公开(公告)号: CN108118340B 公开(公告)日: 2020-06-05
发明(设计)人: 张世宏;毛绍宝;杨英;蔡飞;张林;陈默含 申请(专利权)人: 安徽工业大学
主分类号: C23C28/04 分类号: C23C28/04;C23C10/44;C23C8/12
代理公司: 安徽知问律师事务所 34134 代理人: 杜袁成
地址: 243002 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开一种钼及钼合金电极表面Mo5Si3‑MoSi2‑SiO2高温防护复合涂层及制备方法,属于金属表面工程技术领域。本发明将真空活化包渗法与高温氧化工艺相结合,实现了Mo5Si3‑MoSi2‑SiO2复合涂层的制备。首先,采用真空活化包渗法实现了Mo5Si3‑MoSi2复合涂层制备,表层MoSi2为后续氧化工艺提供Si源,在随后的高温氧化过程中,MoSi2发生氧化,表层形成了一层致密的SiO2涂层,填补了MoSi2涂层的孔隙和裂纹,提高了整个涂层体系的致密性,进而增强了体系的抗高温氧化性能。本发明制备的复合涂层在1600℃下抗氧化寿命达到250小时,1600℃至室温的热震寿命达到1000次,在1600℃条件下抗冲刷寿命为8小时。
搜索关键词: 合金 电极 表面 mo base sub
【主权项】:
钼及钼合金电极表面Mo5Si3‑MoSi2‑SiO2高温防护复合涂层,其特征在于所述高温防护复合涂层具备多重抗氧化防护层:表层致密连续的SiO2层,下表层自修复MoSi2,底层Mo5Si3过渡层;采用真空活化包渗法实现Mo5Si3‑MoSi2复合涂层的制备,所述Mo5Si3‑MoSi2复合涂层的厚度为105~160μm,其中MoSi2厚度为100~150μm,Mo5Si3厚度为5~10μm;采用高温氧化工艺实现SiO2涂层的制备,所述SiO2涂层连续致密,所述SiO2涂层厚度为5~10μm。
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