[发明专利]一种法诺共振光学氢气传感器及其制备方法和应用系统有效

专利信息
申请号: 201711384825.8 申请日: 2017-12-20
公开(公告)号: CN108226098B 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 岳嵩;侯煜;刘嵩;张紫辰 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G01N21/552 分类号: G01N21/552
代理公司: 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 代理人: 赵永刚
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种法诺共振光学氢气传感器,包括衬底、位于衬底表面的氧化层、以及位于氧化层表面的π型金属结构阵列,其中,π型金属结构阵列包括多个周期性分布的π型金属结构单元,π型金属结构单元包括:两根相互平行的第一金属纳米棒单元,与两根第一金属纳米棒单元垂直的第二金属纳米棒单元,其中,第一金属纳米棒单元包括第一贵金属层,所述第二金属纳米棒单元包括吸氢材料层。本发明还提供一种制备法诺共振光学氢气传感器的制备方法,以及一种法诺共振光学氢气传感器的应用系统。本发明能够实现对环境氢气浓度的高精度、高灵敏度的实时传感。
搜索关键词: 一种 共振 光学 氢气 传感器 及其 制备 方法 应用 系统
【主权项】:
1.一种法诺共振光学氢气传感器,包括衬底、位于所述衬底表面的氧化层、以及位于所述氧化层表面的π型金属结构阵列,其特征在于:所述π型金属结构阵列包括多个周期性分布的π型金属结构单元,所述π型金属结构单元包括:两根相互平行的第一金属纳米棒单元,与所述第一金属纳米棒单元垂直的第二金属纳米棒单元,其中,所述第一金属纳米棒单元包括第一贵金属层,所述第二金属纳米棒单元包括吸氢材料层。
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