[发明专利]一种钙钛矿光电晶体管及其制备方法

摘要

本发明实施例提供了一种钙钛矿光电晶体管及其制备方法，属于光探测领域。所述光电晶体管器件包括基础衬底，位于基础衬底上的漏源金属电极，金属氧化物半导体薄膜，所述金属氧化物半导体薄膜上覆盖有电荷传输界面层，所述电荷传输界面层上方有图形化的有机无机杂化钙钛矿材料层，所述电荷传输界面层至少将图形化的有机无机杂化钙钛矿材料层与源漏金属电极、金属氧化物薄膜分隔开，基础衬底上方设有一层钝化层，所述钝化层将器件全部覆盖。所述钙钛矿光电晶体管为底栅底接触结构，具有暗电流低、响应速度快、宽光谱响应的特性，与硅基光电探测器相比具有成本低廉，制备能耗低的特点，器件制备工艺与目前硅基工艺平台具有良好的兼容性。

主权项

1.一种钙钛矿光电晶体管，其特征在于，所述钙钛矿光电晶体管包括，基础衬底，位于基础衬底上的源漏金属电极(4)，金属氧化物半导体薄膜(5)，所述金属氧化物半导体薄膜(5)上覆盖有电荷传输界面层(6)，所述电荷传输界面层(6)上方有图形化的有机无机杂化钙钛矿材料层(7)，所述电荷传输界面层(6)至少将图形化的有机无机杂化钙钛矿材料层(7)与源漏金属电极(4)、金属氧化物半导体薄膜(5)分隔开，所述基础衬底的上方设有一层钝化层(8)，所述钝化层(8)将所述电荷传输界面层(6)、所述图形化的有机无机杂化钙钛矿材料层(7)全部覆盖。