[发明专利]高阻膜和包含该高阻膜的复合膜及其电子装置在审
| 申请号： | 201711351929.9 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN109935387A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 刘伟;唐彬 | 申请（专利权）人： | 南昌欧菲光学技术有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H05K9/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 石佩 |
| 地址： | 330000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种高阻膜和包含该高阻膜的复合膜及其电子装置。该高阻膜包括导电金属氧化物及掺杂在导电金属氧化物中的绝缘氧化物，高阻膜的方块阻抗为105～1012Ω/□。在导电金属氧化物中掺杂绝缘氧化物，可以降低导电金属氧化物的导电性能，从而获得阻抗比导电金属氧化物自身阻抗更高的高阻膜。也即高阻膜的阻抗介于导电金属氧化物与绝缘氧化物之间，可以用于替代具有与其具有相同阻抗的导电金属氧化物膜，例如铟锡氧化物膜、氧化锌膜、二氧化锡膜等。当需要的目标阻抗只能由某一价格昂贵的物质提供时，而且这种价格昂贵的物质还为稀缺物质(例如，铟)时，其储存量越来越少，且逐步趋于枯竭时，采用该高阻膜替代可以降低成本，避免资源枯竭。 | ||
| 搜索关键词： | 高阻 导电金属氧化物 阻抗 绝缘氧化物 电子装置 复合膜 掺杂 铟锡氧化物膜 二氧化锡膜 导电性能 目标阻抗 氧化锌膜 储存量 阻抗比 替代 | ||
【主权项】：
1.一种高阻膜，其特征在于，包括导电金属氧化物及掺杂在其中的绝缘氧化物，所述高阻膜的方块阻抗为105～1012Ω/□。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南昌欧菲光学技术有限公司，未经南昌欧菲光学技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711351929.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
