[发明专利]一种氮掺杂纳米碳插层石墨烯电芯的制作方法

摘要

本发明公开了一种氮掺杂纳米碳插层石墨烯电芯的制作方法，包括以下步骤，在密闭的无尘空间中通过插种设备将纳米级氮掺杂纳米碳与石墨插种，石墨烯是一种真正的表面型材料，理想的单层石墨烯比表面积高达2630m2/g引，而含有缺陷和杂质的比表面积会更大，这使其成为下一代储能和电极材料的重要选择。

主权项

1.一种氮掺杂纳米碳插层石墨烯电芯的制作方法，包括以下步骤：A.在密闭的无尘空间中通过插种设备将纳米级氮掺杂纳米碳与石墨插种；B.在结构上，多孔和高比面积的三维结构氮掺杂石墨烯的研究已逐渐增多，但是对于孔的均匀性和尺寸的控制仍然存在问题；C.在应用上，研究者们对氮掺杂纳米碳石墨烯在ORR中催化性能的研究最多。它们对ORR的作用来源于始末骨架中的杂原子，杂原子使催化剂呈非电中性，因而有利于氧分子的吸附和还原；D.研究了氮掺杂纳米碳插层石墨烯的性能，发现氧化活性进一步提高，这表明，将氮掺杂纳米碳插层石墨烯作为基体，通过物理化学掺杂引入其他物质来进一步改善性质。