[发明专利]微波充电的超表面天线制备方法及装置有效

专利信息
申请号: 201711276774.7 申请日: 2017-12-06
公开(公告)号: CN108054498B 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 张迅;张伯伦;周慧蓉;易伟华 申请(专利权)人: 江西沃格光电股份有限公司
主分类号: H01Q1/36 分类号: H01Q1/36;H01Q1/38;H02J50/27
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 刘雯
地址: 338004 江西省新余*** 国省代码: 江西;36
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摘要: 发明涉及一种微波充电的超表面天线制备方法,固定掩模板,所述掩模板上的各通孔之间的角度与所需求的相位效果对应;将清洗干净的介质基板固定至一个平面被所述掩模板覆盖的位置;对所述介质基板的被所述掩模板覆盖的平面进行镀膜,使所述介质基板上镀制出石墨烯纳米天线层;镀制完成后,将镀制有石墨烯纳米天线层的介质基板取出。由于超表面天线上镀制出的石墨烯的纳米天线层,对应的是掩模板上的各个通孔,掩模板上的各个通孔是根据相位需要进行设计的,从而解决了微波无线充电的超表面,容易氧化、对电磁波的吸收降低的问题。
搜索关键词: 微波 充电 表面 天线 制备 方法 装置
【主权项】:
1.一种微波充电的超表面天线制备方法,其特征在于,包括:固定掩模板,所述掩模板上的各通孔之间的角度与所需求的相位效果对应;将清洗干净的介质基板固定至一个平面被所述掩模板覆盖的位置;对所述介质基板的被所述掩模板覆盖的平面进行镀膜,使所述介质基板上镀制出石墨烯纳米天线层;镀制完成后,将镀制有石墨烯纳米天线层的介质基板取出。
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