[发明专利]薄膜晶体管基底

摘要

提供了一种薄膜晶体管基底，所述薄膜晶体管基底可以包括设置在基底上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管可以包括第一半导体层、第一栅电极和第一电极。第二薄膜晶体管可以包括第二半导体层、第二栅电极和第二电极，第二半导体层设置在第一半导体层上并且与第一半导体层的至少一部分叠置，第二电极电连接到第一电极。第二电极可以与第一电极叠置。

主权项

1.一种薄膜晶体管基底，所述薄膜晶体管基底包括：

第一薄膜晶体管，设置在基底上，所述第一薄膜晶体管包括第一半导体层、第一栅电极和第一电极；以及

第二薄膜晶体管，包括第二栅电极、电连接到所述第一电极的第二电极以及设置在所述第一半导体层上并且与所述第一半导体层的至少一部分叠置的第二半导体层，

其中，所述第二电极与所述第一电极叠置。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基底，其中，所述第一电极是所述第一薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一个，并且

其中，所述第二电极是所述第二薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一个。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基底，其中，所述第一半导体层由多晶半导体形成。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基底，其中，所述第二半导体层由氧化物半导体形成。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基底，其中，所述第一栅电极设置在所述第一半导体层和所述第一电极之间。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基底，所述薄膜晶体管基底还包括形成在所述第一半导体层上的接触孔，所述接触孔穿过所述第二半导体层，所述接触孔的至少一部分分别与所述第一半导体层和所述第二半导体层叠置，

其中，所述第一电极和所述第二电极设置在所述第二半导体层上并且通过填充所述接触孔而一体地形成。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基底，所述薄膜晶体管基底还包括形成在所述第一半导体层上的接触孔，所述接触孔穿过所述第二半导体层和所述第二电极，所述接触孔的至少一部分分别与所述第一半导体层和所述第二半导体层叠置，

其中，所述第一电极设置在所述第二半导体层上并且通过填充所述接触孔来接触所述第二电极。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管基底，其中，所述第二电极设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间。

9.一种薄膜晶体管基底，所述薄膜晶体管基底包括：

第一薄膜晶体管，设置在基底上，所述第一薄膜晶体管包括第一半导体层和第一栅电极；以及

第二薄膜晶体管，包括第二栅电极、电连接到所述第一栅电极的第一电极以及设置在所述第一半导体层上并且与所述第一半导体层的至少一部分叠置的第二半导体层，

其中，所述第一电极与所述第一栅电极叠置。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管基底，其中，所述第一电极是所述第二薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一个。

11.根据权利要求9所述的薄膜晶体管基底，其中，所述第一栅电极设置在所述第一半导体层和所述第一电极之间。

12.根据权利要求9所述的薄膜晶体管基底，所述薄膜晶体管基底还包括形成在所述第一栅电极上的接触孔，所述接触孔穿过所述第二半导体层，所述接触孔的至少一部分分别与所述第一栅电极和所述第二半导体层叠置，

其中，所述第一电极设置在所述第二半导体层上并且通过填充所述接触孔来接触所述第一栅电极。

13.根据权利要求9所述的薄膜晶体管基底，所述薄膜晶体管基底还包括：

接触孔，形成在所述第一栅电极上，所述接触孔穿过所述第二半导体层和所述第一电极，所述接触孔的至少一部分分别与所述第一栅电极和所述第二半导体层叠置；以及

辅助电极，设置在所述第二半导体层上，所述辅助电极通过填充所述接触孔来电连接到所述第一栅电极和所述第一电极。

14.根据权利要求13所述的薄膜晶体管基底，其中，所述第一电极设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间。