[发明专利]一种钨青铜纯相室温多铁性陶瓷厚膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201711262128.5 | 申请日： | 2017-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN107986784A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 郑兴华;罗国仕 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/64;H01F1/01 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钨青铜室温多铁性陶瓷厚膜及其制备方法，其具有室室温下具有优异的铁电性能和铁磁性能，并且具有强烈的磁电耦合效应。本发明提供的多铁性陶瓷厚膜原料来源广泛、价格便宜、环保；制备工艺简单，性能优异，具有极大的工业应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 青铜 室温 多铁性 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钨青铜纯相室温多铁性陶瓷厚膜的制备方法，其特征在于：所述多铁性陶瓷厚膜的化学组成表达式Ba4Sm2Fe2Nb8O30，缩写BSFN， 其制备方法包括如下步骤：1）以BaCO3、Sm2O3、Nb2O5、Fe2O3电子级粉末为制备陶瓷厚膜的原料，按照分子式称量配料，在去离子水或者酒精中高能球磨8‑24小时，烘干后在1100‑1200oC保温2‑6小时，合成钨青铜单相BSFN粉体；2）将BSFN粉体在去离子水中再次高能球磨8‑16小时，然后将浆料进行流延成0.1‑0.5mm的膜，以0.1‑1oC/min升温速率升温到90oC，保温24小时，然后冷却到室温，获得BSFN陶瓷厚膜坯体；3）将BSFN陶瓷厚膜坯体切割成边长10mm的方片，利用微波烧结法，在1200‑1300oC保温15分钟‑1小时，随炉冷却至室温，得到所述钨青铜纯相室温多铁性陶瓷厚膜，其中微波烧结频率2.45GHz。
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