[发明专利]一种GeSbTe系合金粉末的制备方法有效
| 申请号: | 201711235073.9 | 申请日: | 2017-11-30 |
| 公开(公告)号: | CN108015292B | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
| 发明(设计)人: | 刘运连;朱刘;狄聚青;胡智向;文崇斌;潘磊 | 申请(专利权)人: | 先导薄膜材料(广东)有限公司 |
| 主分类号: | B22F9/04 | 分类号: | B22F9/04;B22F9/16;B22F1/00;C22C1/02 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张春水;唐京桥 |
| 地址: | 511517 广东省清远市高新区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | 本发明提供了一种GeSbTe系合金粉末的制备方法,将Sb、Te和适量的第一掺杂物质混合,在640~690℃下进行真空熔炼处理,降低了密封熔炼温度,防止了碲组分挥发而导致的成分偏离,对处理高蒸汽压元素碲更为安全,可以使用低成本的玻璃管,单管合成能力增加,真空密封难度降低。然后,将真空熔炼处理后的SbTe系合金、Ge和适量的第二掺杂物质混合,在保护气的条件下进行粉末合成,粉末合成工艺处理量大,组分分布均匀无偏析,采用氮气和氢气的保护气氛,还原被氧化物料,降低了合金粉末氧含量。由本发明公开的制备方法得到的GeSbTe系合金粉末的成分均匀,非配比杂质含量低,氧含量低。 | ||
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【主权项】:
1.一种GeSbTe系合金粉末的制备方法,包括:A)将Sb、Te和第一掺杂物质混合,得到第一混合物料;所述第一掺杂物质为Sn、Bi和In中的一种或几种;所述第一掺杂物质在第一混合物料中的含量为0wt%~15wt%;B)将所述第一混合物料在640~690℃下进行真空熔炼处理,得到SbTe系合金;C)将所述SbTe系合金、Ge和第二掺杂物质混合,得到第二混合物料;所述第二掺杂物质为Ag、Cu、Si和C中的一种或几种;所述第二掺杂物质在第二混合物料中的含量为0wt%~10wt%;D)在氮气和氢气的条件下,将所述第二混合物料进行粉末合成,得到GeSbTe系合金粉末。
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