[发明专利]一种高线性增益红外雪崩光电二极管及其制备方法

摘要

本发明属于半导体光电探测器领域，提供了一种高线性增益红外雪崩光电二极管及其制备方法，该二极管结构包括下电极接触层、周期性异质结构倍增层、电荷层、周期性异质结构吸收层和上电极接触层。周期性异质结构吸收层利用导带内子带能级跃迁实现对红外光子的吸收，周期性异质结构倍增层利用GaN/AlN异质结材料特有的能带特性促使光生电子发生单极碰撞离化。本发明提供的红外探测器能够保证器件在线性模式工作下获得高的雪崩增益，适用于各种需要进行微弱红外信号探测的应用场景。

主权项

一种高线性增益红外雪崩光电二极管，其特征在于，所述二极管的材料结构自下至上包括：衬底、缓冲层、下电极接触层、周期性异质结构倍增层、电荷层、周期性异质结构吸收层和上电极接触层；所述缓冲层、下电极接触层、电荷层和上电极接触层所选材料均为AlxGa1‑xN，0≤x≤1。