[发明专利]一种OLED显示装置在审
申请号: | 201711214936.4 | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN107768549A | 公开(公告)日: | 2018-03-06 |
发明(设计)人: | 罗艳 | 申请(专利权)人: | 四川九鼎智远知识产权运营有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司51214 | 代理人: | 胡川 |
地址: | 610041 四川省成都市高新*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种OLED显示装置。其包括TFT阵列基板、密封板和发光器件,密封板设置于TFT阵列基板上,与TFT阵列基板形成密闭空间,发光器件设置于密闭空间内的TFT阵列基板上,发光器件包括依次层叠的碳化硅衬底、氮化铝缓冲层、阴极层、有机层、阳极层和透明导电超疏水薄膜,有机层包括呈矩阵分布在阴极层上的隔离层以及设置在多个隔离层之间的发光层,发光层的表面向下凹陷形成曲面,发光层由多个氮化镓层和多个氮化镓铝层交错层叠而成,多个氮化镓层中的至少一个氮化镓层中插入有应力缓冲层,应力缓冲层的晶格常数大于氮化镓层和氮化镓铝层的晶格常数。本发明能够使发光器件具有良好的导电性、透明性和耐水性。 | ||
搜索关键词: | 一种 oled 显示装置 | ||
【主权项】:
一种OLED显示装置,其特征在于,包括TFT阵列基板、密封板和发光器件,所述密封板设置于所述TFT阵列基板上,与所述TFT阵列基板形成密闭空间,所述发光器件设置于所述密闭空间内的TFT阵列基板上,所述发光器件包括依次层叠的碳化硅衬底、氮化铝缓冲层、阴极层、有机层、阳极层和透明导电超疏水薄膜,所述有机层包括呈矩阵分布在所述阴极层上的隔离层以及设置在所述多个隔离层之间的发光层,所述发光层的表面向下凹陷形成曲面,所述发光层由多个氮化镓层和多个氮化镓铝层交错层叠而成,所述多个氮化镓层中的至少一个氮化镓层中插入有应力缓冲层,所述应力缓冲层的晶格常数大于所述氮化镓层和氮化镓铝层的晶格常数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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