[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子装置在审
| 申请号： | 201711184267.0 | 申请日： | 2017-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN109830436A | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 张启阳;詹扬 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：在磷酸槽中清洗半导体晶圆，以去除氮化硅硬掩膜层；在通入氧化剂的热水槽中清洗所述半导体晶圆，以去除所述半导体晶圆上的磷酸残留物。该制作方法可以避免多晶硅刻蚀后的氮化硅祛除工艺中出现的腐蚀多晶硅栅极，导致多晶硅栅极侧壁粗糙度增加，多晶硅栅极特征尺寸(CD)减小的问题，提高了产品的电性参数与良率。该半导体器件和电子装置具有类似的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体晶圆 半导体器件 多晶硅栅极 电子装置 制作 去除 清洗 氮化硅硬掩膜层 氧化剂 电性参数 粗糙度 氮化硅 多晶硅 磷酸槽 热水槽 磷酸 侧壁 减小 刻蚀 良率 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，用于在多晶硅栅极刻蚀完成之后去除所述栅极上的氮化硅硬掩膜层，其特征在于，包括：在磷酸槽中清洗半导体晶圆，以去除氮化硅硬掩膜层；在通入氧化剂的热水槽中清洗所述半导体晶圆，以去除所述半导体晶圆上的磷酸残留物。
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- 一种含有四烷基氢氧化铵的光刻胶去除液及光刻胶的去除方法-201710969167.2
- 温子瑛;孙富成;王致凯 - 无锡华瑛微电子技术有限公司
- 2017-10-18 - 2019-04-26 - H01L21/311
- 本发明公开了一种光刻胶的去除液以及使用该去除液进行光刻胶去除的方法，该去除液包括有机溶剂和四烷基氢氧化铵，所述有机溶剂为至少具有一个吸电子官能团的有机溶剂，该去除方法可以是通过在线气液混合产生上述去除液，直接应用到带有光刻胶的晶圆表面，进行光刻胶的去除和晶圆表面清洗。本发明采用对衬底材料/衬底金属低/无腐蚀性的有机溶剂，以及氨的性质，提高湿法去胶对光刻胶和聚合物的去除效果的同时，降低对晶圆衬底的腐蚀。可以提高工艺良品率，并为更小的工艺特征尺寸的发展提供了有效的解决方案。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
