[发明专利]一种具有MRI模式的植入式医疗器械在审

专利信息
申请号: 201711159847.4 申请日: 2017-11-21
公开(公告)号: CN107715300A 公开(公告)日: 2018-02-23
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 北京品驰医疗设备有限公司
主分类号: A61N1/372 分类号: A61N1/372
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 102200 北京市昌*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种具有MRI模式的植入式医疗器械的工作方法,其包括以下步骤步骤S11,检测外部磁场并判断外部磁场的磁感强度是否超过第一阈值,如果是,进入步骤S12,如果否,继续重复步骤S11;步骤S12,记录检测到外部强磁场的时间和脉冲发生器的状态,标记处于强磁场环境,并进入步骤S13;步骤S13,切换为MRI模式,标记MRI模式切换事件,并进入步骤S14;步骤S14,判断外部磁场的磁感强度是否降到第二阈值以下,如果是,则进入步骤步骤S15,如果否,则重复步骤S14;步骤S15,记录外部强磁场消失的时间和脉冲发生器的状态,标记离开强磁场环境,并进入步骤S16;以及步骤S16,切换为正常模式,标记MRI模式切换事件,并返回步骤S11。本发明还涉及一种植入式医疗器械。
搜索关键词: 一种 具有 mri 模式 植入 医疗器械
【主权项】:
一种具有MRI模式的植入式医疗器械的工作方法,该植入式医疗器械包括体内植入装置和外设控制器,且该体内植入装置包括对外部强磁场敏感的电路元件;该植入式医疗器械的工作方法包括控制该体内植入装置的方法;其特征在于,该控制该体内植入装置的方法包括以下步骤:步骤S11,检测外部磁场并判断外部磁场的磁感强度是否超过第一阈值,如果是,进入步骤S12,如果否,继续重复步骤S11;步骤S12,记录检测到外部强磁场的时间和体内植入装置的状态,标记处于强磁场环境,并进入步骤S13;步骤S13,切换为MRI模式,标记MRI模式切换事件,并进入步骤S14;步骤S14,判断外部磁场的磁感强度是否降低到第二阈值以下,如果是,则进入步骤S15,如果否,则重复步骤S14;步骤S15,记录外部强磁场消失的时间和体内植入装置的状态,标记离开强磁场环境,并进入步骤S16;以及步骤S16,切换为正常模式,标记MRI模式切换事件,并返回步骤S11。
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