[发明专利]一种紫外区半反半透膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201711122923.4 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN108133967B | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 崔小强;张丹彤 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 33200 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 黄欢娣;邱启旺 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种紫外区半反半透膜，由无定型结构的硫化镍晶体组成，所述硫化镍晶体呈条状结构，且相互缠结；半反半透膜的厚度为200～800nm，硫与镍的元素比例为37.93：32.86。本发明还提供了上述半反半透膜的制备方法，与传统的多层溅射方法相比，这种一步水热法生长极大的简化了工艺步骤，减少了能耗以及可控性较强。 | ||
| 搜索关键词： | 半反半透膜 硫化镍 紫外区 制备 无定型结构 一步水热法 工艺步骤 晶体组成 条状结构 传统的 可控性 缠结 多层 溅射 能耗 生长 | ||
【主权项】：
1.一种紫外区半反半透膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n（1）将半胱氨酸和乙酸镍按照摩尔比2:1，加入到去离子水配成溶液，半胱氨酸的浓度为0.02~0.2mol/L，超声至溶解，溶液由澄清变成棕色；/n（2）将透明基底和上述溶液一起放入反应釜中，并在150～200摄氏度下反应4～7个小时，使硫化镍在FTO表面原位生长；/n（3）反应后在乙醇溶液中浸泡、清洗、烘干，即在透明基底表面得到半反半透膜。/n
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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