[发明专利]顶端修饰Cu2

摘要

本发明涉及一种顶端修饰Cu2O的ZnO纳米棒异质结及其制备方法与应用。本发明采用两步法制备，首先采用恒电位沉积法在导电基底上制备ZnO纳米棒，然后采用光沉积法在已制备的ZnO纳米棒顶端沉积Cu2O颗粒，从而得到顶端修饰Cu2O的ZnO纳米棒异质结。本发明工艺简单快捷，所得异质结可以有效分离光生载流子，并对可见光区产生响应，在纳米异质结光催化和光伏等领域有良好应用前景。

主权项

1.一种顶端修饰Cu2O的ZnO纳米棒的异质结，其包括导电基底、ZnO纳米棒层和Cu2O层，所述导电基底为导电材料，所述ZnO纳米棒层生长于所述导电基底表面，所述Cu2O层修饰于所述ZnO纳米棒层顶端。